DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 10-Pin 4-DSN3015-10

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
244-1913
Herst. Teile-Nr.:
DMN12M8UCA10-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

4-DSN3015-10

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36.4nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.16mm

Länge

3.03mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.54mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von DiodesZetex ist so konzipiert, dass er den Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beibehält, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

ESD-Schutz des Gates

Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform

Halogen- und antimonfreies grünes Gerät

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.