Infineon ISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.18 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 244-2277
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-557
- Herst. Teile-Nr.:
- ISS55EP06LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.126.00
Nur noch Restbestände
- Letzte 6'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.042 | CHF.135.45 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.042 | CHF.129.15 |
| 15000 + | CHF.0.042 | CHF.122.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2277
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-557
- Herst. Teile-Nr.:
- ISS55EP06LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | ISS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie ISS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine Designflexibilität und eine einfache Handhabung, um die höchsten Leistungsanforderungen zu erfüllen, zu denen die -12-V-Serie von Produkten gehört, die sich ideal für Batterieschutz, Verpolungsschutz, lineare Batterieladegeräte, Lastschalter, DC/DC-Wandler und Niederspannungs-Antriebsanwendungen eignen.
P-Kanal,
niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on),
100 % Lawinengeprüft,
Logikpegel oder Normalpegel,
Verbesserungsmodus,
bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei nach IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon ISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.18 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon ISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.23 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 0.54 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 81 W, 3-Pin SOT-223