Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 250-0558
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0558
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Der Small-Signal-Transistor OptiMOS P 2. Der Logikpegel beträgt 4,5 V und ist Avalanche-getestet.
Der Logikpegel beträgt 4,5 V
100 % bleifrei und halogenfrei
Die maximale Verlustleistung beträgt 500 mW
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