Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 0.9 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 250-0550
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS169H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.315.00
Auf Lager
- Zusätzlich 6’000 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.105 | CHF.324.45 |
| 6000 - 6000 | CHF.0.105 | CHF.308.70 |
| 9000 + | CHF.0.095 | CHF.289.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0550
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS169H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-MOSFET-Transistor im Depletion-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Es handelt sich um einen SIPMOS-Small-Signal-Transistor, der für dv /dt ausgelegt und mit V GS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich ist.
VDS ist 100 V, Rds(on), Max. 12 W und IDSS, Min. 0,09 A
Maximale Verlustleistung ist 360 mW
Verwandte Links
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 0.9 A 81 W, 3-Pin BSS169H6327XTSA1 SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 0.1 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 0.1 A 81 W, 3-Pin BSS139H6327XTSA1 SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.23 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.15 A 81 W, 3-Pin BSS315PH6327XTSA1 SOT-23
- Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.23 A 81 W, 3-Pin BSS306NH6327XTSA1 SOT-23
- Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 0.54 A 81 W, 3-Pin SOT-23