Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.28 A 81 W, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:
250-0541
Herst. Teile-Nr.:
BSS138WH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

BSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-Kanal, Enhancement-Modus. Das Gerät ist dv /dt-zertifiziert und hat eine Pb-freie Bleibeschichtung. Das Produkt hat eine Vds von 60 V, ein Rds(on)max von 3,5 Ω und ein Id von 0,28 A. Es handelt sich um einen halogenfreien P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.

100 % bleifrei

Maximale Verlustleistung: 360 mW

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