Infineon BSS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 81 W, 3-Pin SOT-323

Dieses N-Kanal-Verbesserungsgerät ist ein kompakter oberflächenmontierbarer Transistor, der für das Schalten und Verstärken in beengten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und eignet sich für Umgebungen, die eine hohe Temperaturtoleranz und eine standardisierte Kfz-Qualifizierung erfordern. Das Gehäuse ermöglicht das automatisierte Auflöten von Leiterplattenbaugruppen, bei denen eine kleine Signalverarbeitung und thermische Leistung erforderlich sind.

• Maximale Drain-Source-Spannung von 60 V ermöglicht Schaltfunktionen mit höherer Spannung
• 6000 mΩ Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste bei kleinen Strömen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,28 A unterstützt Signalwege mit niedrigem Stromverbrauch
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine kurzfristige Leistungsaufnahme
• Die maximale Betriebstemperatur von +150 °C hält den Betrieb bei hohen Temperaturen stand

• Geeignet für die Signalumschaltung in kompakten Steuermodulen
• Ideal für oberflächenmontierte Stromverwaltungsschaltkreise auf Leiterplatten
• Verwendung mit Kfz-Elektronik, die eine AEC-Q101-Qualifikation erfordert
• Kann für Schwachstrom-Lasttreiber in tragbaren Geräten verwendet werden

Das Gate kann auf bis zu 20 V in Bezug auf die Quelle angesteuert werden, bevor die Gate-Beschränkungen überschritten werden.

Eine typische Gate-Ladung von 80 nC bei Nennantrieb bedeutet, dass mäßige Transientenenergie vom Gate-Treiber benötigt wird.

Es arbeitet bis zu -55 °C und bis zu +150 °C für breite Umgebungsanforderungen.