Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2909
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 240 Stück)*
CHF.3’240.72
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 240 + | CHF.13.503 | CHF.3'240.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2909
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 5.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.5 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 5.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.5 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AIMW120R045M1XKSA1 wurde speziell entwickelt, um die hohen Anforderungen der Automobilindustrie in Bezug auf Zuverlässigkeit, Qualität und Leistung zu erfüllen. Die Erhöhung der Schaltfrequenz für einen Konverter mit CoolSiC TM MOSFETs kann zu einer drastisch verringerten Menge und Gewicht der magnetischen Komponenten um bis zu 25 % führen, was zu einer erheblichen Kostensteigerung der Anwendung selbst führt. Der Leistungsgewinn erfüllt neue Regelungsstandards in Bezug auf höhere Effizienzanforderungen für Elektrofahrzeuge.
Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid (Siliziumkarbid) Sehr geringe Schaltverluste
Schwellenfreie Einschaltkennlinie (IGBT-kompatible Treiberspannung) (15 V zum Einschalten)
0-V-Gate-Abschaltspannung
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th)=4,5 V
Vollständig steuerbarer dv/dt
Kommutierung robuste Gehäusediode, bereit für synchrone Gleichrichtung Temperaturunabhängige Abschaltverluste
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