Infineon IMZA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 225 A 81 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 248-6677
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA120R020M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 248-6677
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA120R020M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 225A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | IMZA | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 225A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie IMZA | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC 1200 V, 20 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu finden sind, keine Rückstromverluste der internen kommutierungssicheren Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie On-State-Charakteristik. Die CoolSiC-MOSFETs sind ideal für harte und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und Gleichspannungswandler oder Wechselrichter.
VDSS - 1200 V bei T - 25 °C
IDCC - 98 A bei T - 25 °C
RDS(on) - 19 mohm bei VGS - 18 V, T - 25 °C
Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit 3 Mikrosekunden
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) - 4.2 V
Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
XT-Verbindungstechnologie für klassenbeste thermische Leistung
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