DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.14 W, 6-Pin UDFN-2020
- RS Best.-Nr.:
- 246-6768
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2053UFDBQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.378.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.126 | CHF.362.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-6768
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2053UFDBQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.056Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.14W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.056Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.14W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist ein ergänzender Paar-Verbesserungs-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie hat eine Leiterplattenabmessung von 4 mm^2. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.14 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.14 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.82 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.81 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 0.7 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal MOSFET 30 V 0.8 W UDFN-2020-6