DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
246-6813
Herst. Teile-Nr.:
DMN6069SFVW-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

2.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.85mm

Breite

2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI3333-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 60 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es bietet ein kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektionen

Verwandte Links

Recently viewed