DiodesZetex DMP65H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 246-6842
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP65H13D0HSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMP65H13D0HSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | DMP65H | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 6mm | |
| Breite | 1.45 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie DMP65H | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 6mm | ||
Breite 1.45 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt MOSFETs her, die den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beibehalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 600 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±30 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.
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