DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X4-DSN1515-9
- RS Best.-Nr.:
- 254-8644
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT12H060LCA9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.4.10
Nur noch Restbestände
- Letzte 2’980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.0.41 | CHF.4.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8644
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT12H060LCA9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1515-9 | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 1.46mm | |
| Breite | 1.46 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.225mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1515-9 | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 1.46mm | ||
Breite 1.46 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.225mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Es ist anwendbar in Lastschaltern und
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, hohe Schaltgeschwindigkeit, ESD-Schutz, halogen- und antimonfrei
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X4-DSN1515-9
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X2-DSN1515-9
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMP65H Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin SOIC
