DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X4-DSN1515-9
- RS Best.-Nr.:
- 254-8643
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT12H060LCA9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1’134.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.378 | CHF.1’127.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8643
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT12H060LCA9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1515-9 | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 1.46mm | |
| Breite | 1.46 mm | |
| Höhe | 0.225mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1515-9 | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 1.46mm | ||
Breite 1.46 mm | ||
Höhe 0.225mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Es ist anwendbar in Lastschaltern und
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, hohe Schaltgeschwindigkeit, ESD-Schutz, halogen- und antimonfrei
Verwandte Links
- DiodesZetex P-Kanal MOSFET 115 V / 3,5 A X4-DSN1515-9
- DiodesZetex P-Kanal MOSFET 20 V / 5,2 A X2-DSN1515-9
- DiodesZetex N-Kanal MOSFET X4-DSN1717-4
- DiodesZetex N-Kanal MOSFET X4-DSN1111-4
- DiodesZetex P-Kanal MOSFET 20 V / 115 A PowerDI3333-8
- DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 11 A 3,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- DiodesZetex DMN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,6 A, 3-Pin X4-DSN1006-3
- ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 6-Pin TSMT-8
