DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 22 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-6906
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH43M8LPSQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’522.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.609 | CHF.1’519.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-6906
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH43M8LPSQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.005mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.005mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex ist ein N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Sie ist für +175 °C ausgelegt und ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen geeignet. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 22 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 150 V / 11 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 69.2 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8