DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC DMHC4035LSD-13

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.5.88

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’220 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.0.588CHF.5.89
50 - 90CHF.0.578CHF.5.78
100 - 240CHF.0.462CHF.4.60
250 - 990CHF.0.452CHF.4.49
1000 +CHF.0.399CHF.4.04

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7502
Herst. Teile-Nr.:
DMHC4035LSD-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.058Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

Verwandte Links