DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 246-7502
- Herst. Teile-Nr.:
- DMHC4035LSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7502
- Herst. Teile-Nr.:
- DMHC4035LSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.058Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.058Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand
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