DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7503P
Herst. Teile-Nr.:
DMHC4035LSDQ-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.058Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 40 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse. Es bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.