DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.36 W, 6-Pin US

RS Best.-Nr.:: 246-7513
Herst. Teile-Nr.:: DMN2710UDW-7
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.36 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:: 246-7513
Herst. Teile-Nr.:: DMN2710UDW-7
Marke:: DiodesZetex

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	US
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.75Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	6 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd	0.36W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße US
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.75Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 6 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd 0.36W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet - DMN2710UDW-7

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT363-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Sie hat eine niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage

DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 0.36 W, 6-Pin US

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