DiodesZetex N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 101 A 1.73 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 246-7545
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H9M9LCT
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7545
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H9M9LCT
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 101A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.014Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 31.24mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Breite | 4.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 101A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.014Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 31.24mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Breite 4.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO220AB-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 100 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.
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