onsemi NTM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin DFN-5

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RS Best.-Nr.:
248-5821
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS002N10MCLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTM

Gehäusegröße

DFN-5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V, einem RDS(ON) von 2,8 mohm und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 175 A. Außerdem sind diese Bauelemente Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei, berylliumfrei und RoHS-konform.

Kleine Grundfläche (5x6 mm) für kompaktes Design

Niedriger RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste

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