onsemi NTM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 248-5821
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 1500 + | CHF.1.218 | CHF.1’834.88 |
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- RS Best.-Nr.:
- 248-5821
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Serie | NTM | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Serie NTM | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V, einem RDS(ON) von 2,8 mohm und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 175 A. Außerdem sind diese Bauelemente Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei, berylliumfrei und RoHS-konform.
Kleine Grundfläche (5x6 mm) für kompaktes Design
Niedriger RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
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