Wolfspeed N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 10.7 A 469 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 248-8931
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0040120K
- Marke:
- Wolfspeed
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- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 469W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 23.63mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 469W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 23.63mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeeds Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3MTM MOSFET-Technologie bietet den N-Kanal-Enhancement-Modus. Wolfspeeds Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs sind eine Reihe von SiC-MOSFETs der zweiten Generation von Crees Leistungsabteilung Wolfspeed, die eine branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bieten. Diese Geräte mit geringer Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und haben einen geringeren Kühlungsbedarf, was die Betriebseffizienz des Gesamtsystems verbessert
siC-MOSFET-Technologie der 3. Generation
Niederohmiges Gehäuse mit Treiber-Source-Pin
8 mm Kriechstrecke zwischen Drain und Source
Hohe Sperrspannung mit geringem Durchlasswiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit geringen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
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