Wolfspeed C2M0040120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 60 A 330 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 923-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M0040120D
- Marke:
- Wolfspeed
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Alle MOSFET anzeigen
1 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
210 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück
CHF.46.484
| Stück | Pro Stück |
| 1 - 4 | CHF.46.484 |
| 5 - 9 | CHF.43.512 |
| 10 - 29 | CHF.42.389 |
| 30 - 59 | CHF.41.328 |
| 60 + | CHF.40.257 |
Verpackungsoptionen:
- RS Best.-Nr.:
- 923-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M0040120D
- Marke:
- Wolfspeed
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 52 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 330 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -5 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.21mm |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Länge | 16.13mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 115 nC @ 20 V, 115 nC @ 5 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 3.3V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 21.1mm |