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    Wolfspeed C2M0040120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 60 A 330 W, 3-Pin TO-247

    Wolfspeed
    RS Best.-Nr.:
    923-0711
    Herst. Teile-Nr.:
    C2M0040120D
    Marke:
    Wolfspeed

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    Produktdetails

    Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed


    Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

    • Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
    • Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
    • Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
    • Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
    • Latch-Up-resistenter Betrieb


    MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.60 A
    Drain-Source-Spannung max.1200 V
    GehäusegrößeTO-247
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.52 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.330 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-5 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSiC
    Gate-Ladung typ. @ Vgs115 nC @ 20 V, 115 nC @ 5 V
    Länge16.13mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite5.21mm
    Diodendurchschlagsspannung3.3V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe21.1mm
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