- RS Best.-Nr.:
- 923-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M0040120D
- Marke:
- Wolfspeed
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Preis pro Stück
CHF.46.484
Stück | Pro Stück |
1 - 4 | CHF.46.484 |
5 - 9 | CHF.43.512 |
10 - 29 | CHF.42.389 |
30 - 59 | CHF.41.328 |
60 + | CHF.40.257 |
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- Herst. Teile-Nr.:
- C2M0040120D
- Marke:
- Wolfspeed
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Produktdetails
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Latch-Up-resistenter Betrieb
Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 52 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 330 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -5 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 115 nC @ 20 V, 115 nC @ 5 V |
Länge | 16.13mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 5.21mm |
Diodendurchschlagsspannung | 3.3V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 21.1mm |