STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 245 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 248-9689P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65N045M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 248-9689P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65N045M9
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 28.9mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 28.9mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativsten Super Junction MDmesh DM9-Technologie, geeignet für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS pro Fläche, gekoppelt mit einer schnellen Erholungsdiode. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Mehrfachdrain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt hat einen der niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen siliziumbasierten Schnellschalt-Super-Steckverbindungs-Leistungs-MOSFETs, womit es besonders geeignet für Anwendungen ist, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Weltweit beste FOM RDS auf Qg unter siliziumbasierten Geräten
Höhere VDSS-Nennwerte
Höhere dv/dt-Fähigkeit
Ausgezeichnete Schaltleistung
Leicht zu betreiben
100 Prozent Lawinengeprüft
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