ROHM R6530KNX3 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 104 W, 3-Pin TO-220

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249-1126
Herst. Teile-Nr.:
R6530KNX3C16
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

R6530KNX3

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Hochgeschwindigkeits-Schaltstrom-Leistungs-MOSFET mit N-Kanal 650 V, 30 A sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFETs, die einen Schwerpunkt auf hoher Effizienz legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine höhere Effizienz durch Hochgeschwindigkeitsschalten, h

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem schnelles Schalten

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHs-konform

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