Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 249-3347
- Herst. Teile-Nr.:
- BTN9990LVAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- BTN9990LVAUMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG HSOF-7 | |
| Serie | BTN99x0LV | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.6mΩ | |
| Channel-Modus | Doppelt | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q100/Q006 (Grade 1) | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q006, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG HSOF-7 | ||
Serie BTN99x0LV | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6mΩ | ||
Channel-Modus Doppelt | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q100/Q006 (Grade 1) | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q006, AEC-Q100 | ||
MOSFET der Serie BTN99x0LV von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung von 40 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 115 A – BTN9990LVAUMA1
Merkmale und Vorteile:
• 115 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 9,6 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Gate-Toleranz ±20 V zum Schutz von Gate-Schaltkreisen
• Zweifache N- und P-Kanalanordnung, die komplementäre Stufen ermöglicht
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für den thermischen Kopfraum
Anwendungsbereich
• Ideal für Wechselrichterstufen mit Gleichstromantrieb in Kfz-Systemen
• Verwendung mit komplementären P- und N-Kanalkonfigurationen in H-Brücken
• Kann für Hochstromschaltungen im Batteriemanagement verwendet werden
• Wird für Leistungsstufen verwendet, die Komponenten in Automobilqualität erfordern
Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät im Betrieb tolerieren?
Wie viele Transistorelemente sind auf jedem Chip vorhanden?
Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage und die Wärmeleitung verwendet?
Welche Qualifikationsstufen für die Automobilindustrie erfüllt er?
Welche Kanaltypen sind für komplementäre Schalttopologien integriert?
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