Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 249-6866
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404Z
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.8.747
Auf Lager
- 907 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.8.75 |
| 10 - 24 | CHF.8.31 |
| 25 - 49 | CHF.7.95 |
| 50 - 99 | CHF.7.62 |
| 100 + | CHF.7.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6866
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404Z
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 16.51mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie AUIRFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 16.51mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser für die Automobilindustrie qualifizierten HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate.
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Betriebstemperatur 175 °C
Schnelles Schalten
Vollständige Avalanche-Bewertung Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt
Bleifrei, RoHS-konform
Qualifiziert im Automobilbereich
Verwandte Links
- Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220
- Infineon AUIRFS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 195 A 81 W, 3-Pin TO-220
- Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 260 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 42 A 81 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220
- Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 24 A 81 W, 3-Pin TO-252