Infineon IMBF N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 249-6949
Herst. Teile-Nr.:: IMBF170R450M1XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon IMBF N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 249-6949
Herst. Teile-Nr.:: IMBF170R450M1XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	64A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	IMBF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie IMBF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IMBF170R450M1XTMA1

MOSFET der Serie IMBF von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 64 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMBF170R450M1XTMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und bietet geringe Leitungsverluste und eine beachtliche Leistungsaufnahme in Systemen, die eine robuste Gate-Drive-Steuerung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 1,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Schalten bei moderatem Antrieb
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Spielraum für robuste Gate-Drive-Designs

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen
• Ideal für Motorantriebsstufen in Leistungselektroniksystemen
• Wird zum Schalten der Last im Hochstrom-Batteriemanagement verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf kompakten Leiterplatten

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine schnelle Umschaltung erforderlich?

Verwenden Sie einen Treiber, der in der Lage ist, die Gate-Ladung von 80 nC zu erzeugen und zu senken, um die gewünschte dV/dt zu erreichen und gleichzeitig die Schaltverluste zu bewältigen.

Wie sollte das Wärmemanagement in Designs behandelt werden?

Implementieren Sie eine ausreichende Leiterplatten-Kupferfläche und thermische Leitungen unter der TO-263-Grundfläche, um den 81-W-Sperrverlust während des Dauerbetriebs zu beseitigen.

Welche Grenzwerte schützen das Gerät vor übermäßiger Gate-Spannung?

Halten Sie die Amplitude des Gate-Antriebs innerhalb der maximalen Gate-Quelle von 20 V, um Gate-Oxidbelastungen und einen möglichen Geräteausfall zu vermeiden.

Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Anwendungswahl aus?

Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremer Kälte oder hohen Umgebungstemperaturen, in denen andere Komponenten möglicherweise ungeeignet sind.