Infineon IMBF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 249-6950
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 249-6950
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IMBF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IMBF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Siliziumkarbid-MOSFET von Infineon reduziert die Systemkomplexität. Er wird direkt vom Fly-Back-Controller gesteuert. Verbesserung der Effizienz und Verringerung des Kühlungsaufwands. Ermöglicht eine höhere Frequenz.
Revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid
Optimiert für Fly-Back-Topologien
12 V/0 V Gate-Quellen-Spannung, kompatibel mit den meisten Fly-Back-Controllern
Sehr geringe Schaltverluste
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
Vollständig steuerbare dV/dt für EMI-Optimierung
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