Infineon IMBF N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 249-6950
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IMBF | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IMBF | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMBF von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 64 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMBF170R450M1XTMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und bietet geringe Leitungsverluste und eine beachtliche Leistungsaufnahme in Systemen, die eine robuste Gate-Drive-Steuerung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 1,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Schalten bei moderatem Antrieb
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Spielraum für robuste Gate-Drive-Designs
• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Schalten bei moderatem Antrieb
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Spielraum für robuste Gate-Drive-Designs
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen
• Ideal für Motorantriebsstufen in Leistungselektroniksystemen
• Wird zum Schalten der Last im Hochstrom-Batteriemanagement verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Motorantriebsstufen in Leistungselektroniksystemen
• Wird zum Schalten der Last im Hochstrom-Batteriemanagement verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf kompakten Leiterplatten
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine schnelle Umschaltung erforderlich?
Verwenden Sie einen Treiber, der in der Lage ist, die Gate-Ladung von 80 nC zu erzeugen und zu senken, um die gewünschte dV/dt zu erreichen und gleichzeitig die Schaltverluste zu bewältigen.
Wie sollte das Wärmemanagement in Designs behandelt werden?
Implementieren Sie eine ausreichende Leiterplatten-Kupferfläche und thermische Leitungen unter der TO-263-Grundfläche, um den 81-W-Sperrverlust während des Dauerbetriebs zu beseitigen.
Welche Grenzwerte schützen das Gerät vor übermäßiger Gate-Spannung?
Halten Sie die Amplitude des Gate-Antriebs innerhalb der maximalen Gate-Quelle von 20 V, um Gate-Oxidbelastungen und einen möglichen Geräteausfall zu vermeiden.
Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Anwendungswahl aus?
Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremer Kälte oder hohen Umgebungstemperaturen, in denen andere Komponenten möglicherweise ungeeignet sind.
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