Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 249-8631
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.665
Auf Lager
- 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.533 | CHF.7.69 |
| 50 - 120 | CHF.1.386 | CHF.6.92 |
| 125 - 245 | CHF.1.292 | CHF.6.47 |
| 250 - 495 | CHF.1.197 | CHF.6.00 |
| 500 + | CHF.1.124 | CHF.5.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-8631
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IAUC | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 60 V, N-Ch, 5 MOhm, Kfz-MOSFET mit OptiMOS 5-Technologie für 60-V-MOSFETs im kleinen S3O8-Gehäuse mit 3 x 3 mm, mit führender Leistung, die niedrige RDSon-, QG- und Gate-Kapazität bietet und die Leitungs- und Schaltverluste minimiert.
OptiMOS Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
N-Kanal, Erweiterungsmodus, Logikpegel
Erweiterte Qualifikation über AEC-Q101 hinaus
Verbesserte elektrische Prüfung
Robuste Konstruktion
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS konform)
100-prozentige Lawinenprüfung
Verwandte Links
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 8-Pin SuperSO
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6