Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 241-9890
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.2.182
Auf Lager
- 14'988 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.091 | CHF.2.17 |
| 20 - 48 | CHF.0.899 | CHF.1.80 |
| 50 - 98 | CHF.0.848 | CHF.1.69 |
| 100 - 198 | CHF.0.788 | CHF.1.58 |
| 200 + | CHF.0.727 | CHF.1.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9890
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 6 von Infineon ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Er wurde zu 100 % Avalanche geprüft.
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow
Green-Produkt (RoHS-konform)
Verwandte Links
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 150 W, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 115 W, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 167 W, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A, 8-Pin TDSON