Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 15 A 81 W, 8-Pin AG-EASY1B

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.51.933

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.51.93
2 - 4CHF.49.33
5 - 9CHF.47.26
10 - 19CHF.45.18
20 +CHF.43.10

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
250-0229
Herst. Teile-Nr.:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

114mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, 60749 and 60068

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACKTM 1B 1200 V/55 mΩ Sechskantmodul mit CoolSiCTM MOSFET mit erweiterter Generation 1, NTC- und PressFIT-Kontakttechnologie.

Geringe Induktivität

Geringe Schaltverluste

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

PressFIT-Kontakttechnologie

Integrierter NTC-Temperatursensor

Verwandte Links