Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin BSP149H6906XTSA1 SOT-223

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250-0532
Herst. Teile-Nr.:
BSP149H6906XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSP

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor im Depletion-Modus von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Das Produkt ist für dv /dt ausgelegt und mit VGS(th)-Anzeige auf der Spule erhältlich. Die VDS beträgt 200 V, RDS(on)max ist 3,5 Ω und IDSS, min ist 0,14 A.

Pb-freie Bleibeschichtung und halogenfrei

Erhältlich im SOT233-Gehäuse

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