Infineon BSP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 120 mA 81 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 250-0527
Herst. Teile-Nr.:: BSP125H6433XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 120 mA 81 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 250-0527
Herst. Teile-Nr.:: BSP125H6433XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	BSP
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	45000mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie BSP
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 45000mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - BSP125H6433XTMA1

MOSFET der BSP-Serie von Infineon, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 81 W maximale Verlustleistung – BSP125H6433XTMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Gerät für Hochspannungsschalt- und Verlustleistungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und verfügt über ein dreipoliges SOT-223-Gehäuse für eine einfache Platzierung der Leiterplatte. Die Komponente ist RoHS-konform und erfüllt die Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie für den Einsatz in geregelten Fahrzeugumgebungen.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 81 W Verlustleistung unterstützen anhaltende thermische Lasten
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,12 A eignet sich für Steuerpfade mit niedrigem Stromverbrauch
• Der Einschaltwiderstand von 45,000 mΩ minimiert die Leitungsverluste
• 80 nC Gate-Ladung bei 20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Stromversorgungs-Schaltstufen
• Ideal für Kfz-Steuerschaltkreise, die eine Qualifizierung erfordern
• Verwendung mit kompakten Wandlern, die eine SOT-223-Montage erfordern
• Kann für Hochtemperatur-Elektronikmodule verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Prototypen- und Produktionsplatinen

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden im Gate-Bereich zu verhindern.

Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?

Das Gerät ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, um einem breiten Spektrum von Umgebungsbedingungen gerecht zu werden.

Wie viele Stifte und welchen Gehäusetyp sollten Leiterplattenentwickler zulassen?

Es verwendet ein dreipoliges SOT-223-Gehäuse, das für die Oberflächenmontage und typische Lötprozesse geeignet ist.

Welche Normen oder Zulassungen gelten für diese Komponente?

Er entspricht den RoHS-Richtlinien und erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie.