Infineon BSP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -100 V / 680 mA 81 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF 5.66

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 910 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF 1.131CHF 5.64
50 - 120CHF 0.99CHF 4.95
125 - 245CHF 0.929CHF 4.63
250 - 495CHF 0.859CHF 4.29
500 +CHF 0.798CHF 4.00

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
250-0536
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-496
Herst. Teile-Nr.:
BSP316PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

-100V

Serie

BSP

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der BSP-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, +150 °C maximale Betriebstemperatur - BSP316PH6327XTSA1


Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für die Leistungsschaltung in Umgebungen mit hohen Temperaturen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine kontrollierte Drain-Source-Leitung mit moderater Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Die Komponente erfüllt Kfz- und Umweltbeschränkungen für den Einsatz in Bereichen, in denen die Einhaltung von Normen erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:


• 1800 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste und vereinfacht das thermische Design
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,68 A unterstützt das Schalten von niedrigen bis mittleren Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge mit geringerer Antriebsenergie
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte Energieverarbeitung in beengten Gehäusen
• Die maximale Betriebstemperatur von +150 °C ermöglicht den Einsatz in Hochtemperaturbaugruppen

Anwendungsbereich


• Geeignet für das Energiemanagement von Automobil-Subsystemen
• Ideal für oberflächenmontierte Regler- und Lastschalterkreise
• Wird mit Batteriemanagement- und Schaltmodulen mit niedrigem Stromverbrauch verwendet
• Kann für die thermisch tolerante Strompfadkontrolle auf kompakten Boards verwendet werden
• Geeignet für Designs, die RoHS-konforme P-Kanal-Komponenten erfordern

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Betriebs eingehalten werden?


Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf und sollte diesen Wert nicht überschreiten.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart werden für die Leiterplatten-Integration verwendet?


Er wird in einem SOT‐223-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um die thermische Kopplung zu erleichtern.

Welches elektothermische Verhalten gilt für eine dauerhafte Verlustleistung?


Das Teil ist für die Ableitung von bis zu 81 W unter bestimmten Bedingungen ausgelegt, erfordert jedoch ein angemessenes Wärmemanagement auf der Leiterplatte.

Ist das Gerät für Automobilumgebungen qualifiziert?


Er erfüllt die AEC-Q101-Normen für die Abschirmung von Halbleitern in Automobilqualität.

Welchen Standard für Umwelteinflüsse erfüllt er?


Die Komponente ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen an bleifreie und eingeschränkte Stoffe.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.