Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin BSP129H6906XTSA1 SOT-223

Dieser Kleinsignaltransistor ist eine effektive Lösung für Geräte, die eine hohe Spannung und Oberflächenmontagefähigkeit erfordern. Als n-Kanal-MOSFET im Verarmungsmodus ermöglicht er einen effizienten Betrieb in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 240 V und einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 280 mA eignet sich dieses Produkt hervorragend für Automatisierungs- und Automobilanwendungen und ist damit eine zuverlässige Wahl für das Strommanagement in verschiedenen elektronischen Schaltungen.

• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effiziente Schaltvorgänge

• Geeignet für Kfz-Steuersysteme

Installieren Sie den MOSFET auf der Leiterplatte gemäß den angegebenen Montagerichtlinien und achten Sie dabei auf ein korrektes Wärmemanagement für eine effektive Wärmeableitung.

Der Wärmewiderstand muss überwacht werden, da die Betriebstemperatur von -55°C bis +150°C reicht, was ein angemessenes PCB-Design erfordert, um eine effiziente Wärmeleitung zu ermöglichen.

Eine Gate-Spannung innerhalb des spezifizierten Bereichs von ±20 V ist für optimale Schalteigenschaften unerlässlich und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in allen Anwendungen.

Ja, er ist so konzipiert, dass er dank der festgelegten Ein- und Ausschaltverzögerungszeiten auch in Hochgeschwindigkeits-Schaltszenarien effektiv funktioniert.

Die gesamte Gate-Ladung bei 5 V beträgt ca. 3,8 nC, wodurch die Leistungseffizienz beim Schalten optimiert wird, ohne die Treiberschaltungen übermäßig zu belasten.