Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
250-0529
Herst. Teile-Nr.:
BSP129H6906XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSP

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 280 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP129H6906XTSA1


Dieser Kleinsignaltransistor ist eine effektive Lösung für Geräte, die eine hohe Spannung und Oberflächenmontagefähigkeit erfordern. Als n-Kanal-MOSFET im Verarmungsmodus ermöglicht er einen effizienten Betrieb in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 240 V und einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 280 mA eignet sich dieses Produkt hervorragend für Automatisierungs- und Automobilanwendungen und ist damit eine zuverlässige Wahl für das Strommanagement in verschiedenen elektronischen Schaltungen.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effiziente Schaltvorgänge

• Depletion-Mode-Funktionalität gewährleistet konstante Stromleistung

• Hohe Spannungswerte bieten vielseitige Anwendungsmöglichkeiten

• Niedrige Gate-Schwellenspannung verbessert die Systemkompatibilität

• Die Oberflächenmontage ermöglicht eine platzsparende Installation

• AEC-Q101 qualifiziert, geeignet für den Einsatz in der Automobilindustrie

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kfz-Steuersysteme

• Kann in Leistungsmanagement-Schaltungen verwendet werden

• Unterhaltungselektronik für mehr Effizienz

Wie kann eine ordnungsgemäße Installation für eine optimale Leistung gewährleistet werden?


Installieren Sie den MOSFET auf der Leiterplatte gemäß den angegebenen Montagerichtlinien und achten Sie dabei auf ein korrektes Wärmemanagement für eine effektive Wärmeableitung.

Was ist beim Wärmemanagement während des Betriebs zu beachten?


Der Wärmewiderstand muss überwacht werden, da die Betriebstemperatur von -55°C bis +150°C reicht, was ein angemessenes PCB-Design erfordert, um eine effiziente Wärmeleitung zu ermöglichen.

Welche Art von Torantrieb wird für dieses Produkt empfohlen?


Eine Gate-Spannung innerhalb des spezifizierten Bereichs von ±20 V ist für optimale Schalteigenschaften unerlässlich und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in allen Anwendungen.

Kann dieser MOSFET in Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen eingesetzt werden?


Ja, er ist so konzipiert, dass er dank der festgelegten Ein- und Ausschaltverzögerungszeiten auch in Hochgeschwindigkeits-Schaltszenarien effektiv funktioniert.

Was ist bei den Eigenschaften der Gate-Ladung zu beachten?


Die gesamte Gate-Ladung bei 5 V beträgt ca. 3,8 nC, wodurch die Leistungseffizienz beim Schalten optimiert wird, ohne die Treiberschaltungen übermäßig zu belasten.

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