Teile-Nr.

Infineon BSP Typ N-Kanal MOSFET Entleerung 600 V / 0.12 A, 4-Pin PG-SOT223

RS Best.-Nr.:: 260-5074
Herst. Teile-Nr.:: BSP135H6906XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon BSP Typ N-Kanal MOSFET Entleerung 600 V / 0.12 A, 4-Pin PG-SOT223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 260-5074
Herst. Teile-Nr.:: BSP135H6906XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	0.12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	BSP
	Gehäusegröße	PG-SOT223
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Entleerung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie BSP
	Gehäusegröße PG-SOT223
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Entleerung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - BSP135H6906XTSA1

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon arbeitet im Erschöpfungsmodus. Seine maximale Verlustleistung beträgt 1,8 W. Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von -55 °C und eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C.

Erschöpfungsmodus

dv- oder dt-Nennstrom

Erhältlich mit V GS(th)-Anzeige auf der Rolle

Infineon BSP Typ N-Kanal MOSFET Entleerung 600 V / 0.12 A, 4-Pin PG-SOT223

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