Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 3.6 A 6 W, 3-Pin PG-SOT223
- RS Best.-Nr.:
- 273-3016
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-3016
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-SOT223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC Standard | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-SOT223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC Standard | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das Cool MOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen.
BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung
Robustheit und Zuverlässigkeit
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