Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche P-Kanal Erweiterung 60 V / 1.9 A 5 W, 3-Pin PG-SOT223
- RS Best.-Nr.:
- 273-3042
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.9.10
Auf Lager
- 2'900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.364 | CHF.9.19 |
| 50 - 75 | CHF.0.343 | CHF.8.48 |
| 100 - 225 | CHF.0.313 | CHF.7.90 |
| 250 - 975 | CHF.0.313 | CHF.7.73 |
| 1000 + | CHF.0.303 | CHF.7.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3042
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-SOT223 | |
| Serie | ISP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 260mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-SOT223 | ||
Serie ISP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 260mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Infineon auf normaler und logischer Ebene reduziert die Konstruktionskomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung.
Einfache Schnittstelle zu MCU
Schnelles Schalten
Lawinenfeste Robustheit
Verwandte Links
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche P-Kanal Erweiterung 60 V / 1.9 A 5 W, 3-Pin PG-SOT223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 3.6 A 6 W, 3-Pin PG-SOT223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -2.8 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.55 A 4.2 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 990 mA 4.2 W, 3-Pin SOT-223