Infineon CoolMOSTMPFD7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 25 W, 3-Pin IPAN60R210PFD7SXKSA1 PG-TO-220

RS Best.-Nr.:: 273-7460
Herst. Teile-Nr.:: IPAN60R210PFD7SXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOSTMPFD7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 25 W, 3-Pin IPAN60R210PFD7SXKSA1 PG-TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 273-7460
Herst. Teile-Nr.:: IPAN60R210PFD7SXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	16A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	CoolMOSTMPFD7
	Gehäusegröße	PG-TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	210mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	23nC
	Maximale Verlustleistung Pd	25W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie CoolMOSTMPFD7
	Gehäusegröße PG-TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC
	Maximale Verlustleistung Pd 25W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPAN60R210PFD7SXKSA1

Infineons MOSFET bietet die revolutionäre Cool MOS-Technologie für Hochspannungs-MOSFETs. Er wurde nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und ist eine Pionierleistung von Infineon Technologies. Der neueste Cool MOS PFD7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensitive Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegeräte, Adapter, Motorantriebe, Beleuchtung usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super-Sperrschicht-MOSFETs, kombiniert mit einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis und modernster Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden sehr schlanke Designs anstreben können.

Schnelle Body-Diode

Extrem niedrige Verluste

Niedrige Schaltverluste Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Hervorragende Kommutierungsrobustheit

Infineon CoolMOSTMPFD7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 25 W, 3-Pin IPAN60R210PFD7SXKSA1 PG-TO-220

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