Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.2’604.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 07. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.2.604CHF.2’600.85

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
250-0592
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R060C7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation. 600 V C7 ist die erste Technologie überhaupt mit einem RDS(on) A unter 1Ohm*mm². Das Produkt eignet sich für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC). Das Produkt verfügt über eine erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit von 120 V/ns und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Ermöglicht höhere Systemeffizienz durch geringere Schaltverluste

Höhere Leistungsdichte durch kleinere Gehäuse

Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar

Verwandte Links