Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 250-0593
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R060C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation. 600 V C7 ist die erste Technologie überhaupt mit einem RDS(on) A unter 1Ohm*mm². Das Produkt eignet sich für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC). Das Produkt verfügt über eine erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit von 120 V/ns und einen verbesserten Wirkungsgrad.
Ermöglicht höhere Systemeffizienz durch geringere Schaltverluste
Höhere Leistungsdichte durch kleinere Gehäuse
Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar
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