Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin IPB60R060C7ATMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB60R060C7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation. 600 V C7 ist die erste Technologie überhaupt mit einem RDS(on) A unter 1Ohm*mm². Das Produkt eignet sich für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC). Das Produkt verfügt über eine erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit von 120 V/ns und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Ermöglicht höhere Systemeffizienz durch geringere Schaltverluste

Höhere Leistungsdichte durch kleinere Gehäuse

Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar

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