Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 20.5 A 5.6 W, 8-Pin SO-8

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252-0244
Herst. Teile-Nr.:
SI4151DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

5.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.

TrenchFET Leistungs-MOSFET

100 % Rg und UIS getestet

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