Vishay Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8281
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4534DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.151 | CHF.5.76 |
| 50 - 95 | CHF.1.03 | CHF.5.17 |
| 100 - 245 | CHF.0.808 | CHF.4.04 |
| 250 - 995 | CHF.0.788 | CHF.3.95 |
| 1000 + | CHF.0.525 | CHF.2.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 268-8281
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4534DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der Generation 4 von Vishay verfügt über geringere Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Netzteilen mit Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.
Niedrige effektive Kapazität
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
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