Teile-Nr.

Vishay Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 268-8280
Herst. Teile-Nr.:: SI4534DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 268-8280
Herst. Teile-Nr.:: SI4534DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Channel-Modus	Erweiterung
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Channel-Modus Erweiterung
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI4534DY-T1-GE3

Ursprungsland:: CN

Der Leistungs-MOSFET der Serie E der Generation 4 von Vishay verfügt über geringere Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Netzteilen mit Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

Vishay Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8

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