Teile-Nr.

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR

RS Best.-Nr.:: 252-8472
Herst. Teile-Nr.:: CSD13381F4T
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR

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500 - 1000	CHF.0.399	CHF.100.28
1250 - 2250	CHF.0.389	CHF.97.65
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RS Best.-Nr.:: 252-8472
Herst. Teile-Nr.:: CSD13381F4T
Marke:: Texas Instruments

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Texas Instruments
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	PICOSTAR
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.9W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Texas Instruments
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße PICOSTAR
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.9W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR

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