Texas Instruments N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 1.9 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 252-8486
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19532KTT
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 252-8486
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19532KTT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Verwandte Links
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 1.9 W TO-263
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSONP
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W DSBGA
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.3 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 182 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSON-CLIP