Teile-Nr.

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 1.9 W TO-263

RS Best.-Nr.:: 252-8486
Herst. Teile-Nr.:: CSD19532KTT
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 1.9 W TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 252-8486
Herst. Teile-Nr.:: CSD19532KTT
Marke:: Texas Instruments

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Texas Instruments
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	200A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.9W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Texas Instruments
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.9W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 1.9 W TO-263

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