Teile-Nr.

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 2.3 W Picostar YSE 6

RS Best.-Nr.:: 252-8633
Herst. Teile-Nr.:: CSD83325LT
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 2.3 W Picostar YSE 6

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RS Best.-Nr.:: 252-8633
Herst. Teile-Nr.:: CSD83325LT
Marke:: Texas Instruments

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Texas Instruments
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Gehäusegröße	Picostar YSE 6
	Montageart	Oberfläche
	Maximale Verlustleistung Pd	2.3W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10.9nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	10 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Texas Instruments
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	Gehäusegröße Picostar YSE 6
	Montageart Oberfläche
	Maximale Verlustleistung Pd 2.3W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.9nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 10 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 2.3 W Picostar YSE 6

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