DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 30 V 0.88 W TSOT-26 DMN3061SVTQ-7
- RS Best.-Nr.:
- 254-8609
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061SVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.231 | CHF.5.67 |
| 50 - 75 | CHF.0.221 | CHF.5.57 |
| 100 - 225 | CHF.0.179 | CHF.4.54 |
| 250 - 975 | CHF.0.179 | CHF.4.46 |
| 1000 + | CHF.0.147 | CHF.3.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8609
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061SVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.88W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.88W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert, wird durch einen PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Hinterleuchtung, DC/DC-Wandlern und Leistungsmanagementfunktionen
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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