DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin TSOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 254-8614
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4060SVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 254-8614
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4060SVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert, wird durch einen PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Hinterleuchtung, DC/DC-Wandlern und Leistungsmanagementfunktionen
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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