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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	X2-DFN0806-6
	Montageart	Oberfläche
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-0.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.35nC
	Maximale Verlustleistung Pd	0.36W
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke DiodesZetex
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße X2-DFN0806-6
	Montageart Oberfläche
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -0.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC
	Maximale Verlustleistung Pd 0.36W
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - DMP32D9UDAQ-7B

Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfreies ESD-geschütztes Gate

DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.36 W X2-DFN0806-6

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