DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.36 W X2-DFN0806-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8637
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UDAQ-7B
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 254-8637
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UDAQ-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN0806-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße X2-DFN0806-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf -0.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfreies ESD-geschütztes Gate
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