DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 150 V / 11 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 254-8663
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH15H017SPSW-13
- Marke:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.919 | CHF.9.59 |
| 50 - 95 | CHF.1.808 | CHF.9.06 |
| 100 - 245 | CHF.1.677 | CHF.8.37 |
| 250 - 995 | CHF.1.646 | CHF.8.21 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8663
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH15H017SPSW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.4mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.4mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist anwendbar in DC/DC-Wandlern und Motoren
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, hoher Umwandlungseffizienz, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfrei
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